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Leistungsschub für Laserbarren
Forschungsprojekt bringt neue Laserbarrengeneration hervor
Im Rahmen des Forschungsverbundprojekts „BRILASI“ hat OSRAM Opto Semiconductors die Leistungsparameter von Laserbarren (Laserchips) - Effizienz, Leistung, Lebensdauer und Strahlqualität - optimiert und perfekt aufeinander abgestimmt. Herausgekommen sind unter anderem Laserchips mit 910 – 980 nm Wellenlänge, die unter realen Industriebedingungen bei 120 W optischer Ausgangsleistung eine typische Effizienz von 70 % erreichen. Die optimierten Laserbarren stehen für eine neue Generation von Diodenlasern. Bei 120 W Leistung erreichen sie nahezu die doppelte Ausgangsleistung und 10 % höherer Effizienz als bisherige Komponenten.
Auf dem Sprung in neue Anwendungen
Auf dem Sprung in neue Anwendungen Mit den neuen, leistungsstärkeren Laserbarren lässt sich einerseits die Systemleistung bei gleicher Lebensdauer erhöhen. Andererseits kann ein System bei gleicher Leistung kleiner und zuverlässiger ausgelegt werden. Muster der neuen, unmontierten Laserbarren sind bereits verfügbar. Die Produkteinführung von Standard-Industrielaserbarren mit 50 % Füllfaktor ist im Sommer 2008 geplant, die von Strukturen für Faserkopplungsanwendungen im Herbst 2008.
Von der Forschung in die Praxis
Das Forschungsverbundprojekt „BRILASI“ (Brillante Hochleistungs-Laserdioden für Industrieanwendungen, FKZ 13N8601) wurde vom Bundesministerium für Bildung und Forschung initiiert. Träger war der VDI, OSRAM fungierte als Verbundkoordinator. Verschiedene Partner aus den Industriebereichen Lasersysteme und Endanwender sowie aus der Forschung ergänzten das Projektteam. Ziel des Projektes war die Entwicklung hocheffizienter, besonders zuverlässiger Diodenlaser für Industrieanwendungen. Mit Laserbarren, die je nach Emissionswellenlänge und Montagetechnik bei 100-170 W im 20.000-h-Dauer- bzw. Langpulsbetrieb eingesetzt werden können, hat OSRAM das Ziel des Forschungsprojekts erreicht. Dahinter steckt die Optimierung der Epitaxiestrukturen, vor allem im Hinblick auf die Minimierung der elektrischen Verluste. So konnten die Serienwiderstände reduziert werden, ohne dabei die optischen Absorptionsverluste zu erhöhen. Außerdem wurde der Laser-Resonator weiter verbessert.
Quelle: Pressemitteilung OSRAM
Auf dem Sprung in neue Anwendungen
Auf dem Sprung in neue Anwendungen Mit den neuen, leistungsstärkeren Laserbarren lässt sich einerseits die Systemleistung bei gleicher Lebensdauer erhöhen. Andererseits kann ein System bei gleicher Leistung kleiner und zuverlässiger ausgelegt werden. Muster der neuen, unmontierten Laserbarren sind bereits verfügbar. Die Produkteinführung von Standard-Industrielaserbarren mit 50 % Füllfaktor ist im Sommer 2008 geplant, die von Strukturen für Faserkopplungsanwendungen im Herbst 2008.
Von der Forschung in die Praxis
Das Forschungsverbundprojekt „BRILASI“ (Brillante Hochleistungs-Laserdioden für Industrieanwendungen, FKZ 13N8601) wurde vom Bundesministerium für Bildung und Forschung initiiert. Träger war der VDI, OSRAM fungierte als Verbundkoordinator. Verschiedene Partner aus den Industriebereichen Lasersysteme und Endanwender sowie aus der Forschung ergänzten das Projektteam. Ziel des Projektes war die Entwicklung hocheffizienter, besonders zuverlässiger Diodenlaser für Industrieanwendungen. Mit Laserbarren, die je nach Emissionswellenlänge und Montagetechnik bei 100-170 W im 20.000-h-Dauer- bzw. Langpulsbetrieb eingesetzt werden können, hat OSRAM das Ziel des Forschungsprojekts erreicht. Dahinter steckt die Optimierung der Epitaxiestrukturen, vor allem im Hinblick auf die Minimierung der elektrischen Verluste. So konnten die Serienwiderstände reduziert werden, ohne dabei die optischen Absorptionsverluste zu erhöhen. Außerdem wurde der Laser-Resonator weiter verbessert.
Quelle: Pressemitteilung OSRAM
